ملخص الدراسة:

تحضر الاغشية الرقيقة للتركيبات النانوية لـ CdS/PVA بطريقة الترسيب الكيميائي على قواعد زجاجية بدرجة حرارة 75 سيليزية. اذ يستخدم خلات الكادميوم وكلوريد الكادميوم كمصدر لايونات الكادميوم بينما تستخدم الثايوريا كمصدر لايونات الكبريت مع اضافة تراكيز مختلفة من البوليمر (بولي كحول الفاينيل). درست الخصائص التركيبية للعينات المحضرة باستخدام جهاز حيود الاشعة السينية XRD فتؤثر نسب البوليمر على البارامترات التركيبية (ثابت الشبيكة، ثابت المطاوعة وكثافة التشويه). تم تشخيص وتحديد الاواصر باستخدام جهاز الاشعة تحت الحمراء FTIR. واخذت صور الماسح الالكتروني لاحد العينات لمعرفة التاصر للتركيبات النانوية CdS/PVA. درس طيف الامتصاص البصري لاغشية التركيبات النانوية CdS/PVA وتم حساب قيم فجوة الطاقة. تم حساب حجم الجسيمات للجسيمات النانوية لمركب كبريتيد الكادميوم وللاغشية الرقيقة للتركيبات النانوية لمركب كبريتيد الكادميوم من منحنيات حيود الاشعة السينية وفجوة الطاقة البصرية.